发明名称 高耐久性之白光发光二极体
摘要 本发明系关于一种高耐久性之白光发光二极体,其系以InGaN异质结为基础,该异质结上涂有立方构造之稀土元素萤光粉,该萤光粉可被铈启动,其特征在于:该萤光粉中添加铥(Tm)离子,并与Y、Gd、Ln、Ce离子以及铝的氧化物组成化学计量公式(Y#sB!1#eB!#sB!-#eB!#sB!x#eB!#sB!-#eB!#sB!y-#eB!#sB!z#eB!#sB!-#eB!#sB!p#eB!Gd#sB!x#eB!Ln#sB!y#eB!Ce#sB!z#eB!Tm#sB!p#eB!)#sB!3#eB!#sB!±#eB!#sB!α#eB!(Al#sB!2#eB!O#sB!3#eB!)#sB!5#eB!#sB!±#eB!#sB!β#eB!,且该萤光粉被半导体异质结蓝光激发时可辐射强烈黄光,同时两种光混合形成了整体白光辐射。
申请公布号 TW200831643 申请公布日期 2008.08.01
申请号 TW096103297 申请日期 2007.01.30
申请人 王咏绮 发明人 索辛;罗维鸿;蔡绮睿
分类号 C09K11/77(2006.01);H01L33/00(2006.01) 主分类号 C09K11/77(2006.01)
代理机构 代理人 林文烽
主权项
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