| 发明名称 | 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，为生长InAlGaN提供与衬底相同取向的成核中心；5)降低衬底的温度；6)在成核层上生长InAlGaN层。 | ||
| 申请公布号 | CN101114584A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200610088944.4 | 申请日期 | 2006.07.27 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王保柱;王晓亮;王晓燕;王新华;肖红领;王军喜;刘宏新 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层，使得蓝宝石表面形成生长氮化物的浸润层；3)升高衬底的温度；4)在氮化层上生长一层成核层，为生长InAlGaN提供与衬底相同取向的成核中心；5)降低衬底的温度；6)在成核层上生长InAlGaN层。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||