| 发明名称 | 基板的制造方法及基板处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种不增加工序数，在除去Mo氧化物的同时，抑制Mo氧化物附着于基板的基板制造方法及基板处理装置。本发明的基板制造方法是在基板上形成含钼层，在上述含钼层露出的状态下，对上述基板进行至少使用氮气的常压等离子体处理的方法。本发明提供了通过这样的构成，不增加工序数，在除去Mo氧化物的同时，抑制Mo氧化物对基板附着的基板制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101034659A | 申请公布日期 | 2007.09.12 |
| 申请号 | CN200710085723.6 | 申请日期 | 2007.03.08 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 薮下宏二;林正美;山部贵人 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L23/532(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;李平英 |
| 主权项 | 1、一种基板的制造方法，其中，在基板上形成含钼层，在上述含钼层露出的状态下，对上述基板进行至少使用氮气的常压等离子体处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||