不连续的氮化物只读存储器存储单元的结构

摘要

不连续的氮化物只读存储器的存储单元，至少包括：衬底；第一NO叠层栅极和第二NO叠层栅极，形成在衬底上，其中NO叠层栅极是由一氮化物层及氧化物层所组成；氧化层，形成在衬底上以覆盖第一NO叠层栅极和第二NO叠层栅极；多晶硅层，形成在氧化层上；以及源极/漏极，形成在衬底内且靠近第一NO叠层栅极和第二NO叠层栅极。本发明的不连续的氮化物只读存储器的存储单元的结构可以解决电子被诱捕进入氮化物层的难题，并且可准确地控制源极/漏极和NO结构的相关位置。

主权项

1.一种不连续的氮化物只读存储器的存储单元结构的制造方法，包括以下步骤：提供一个衬底，该衬底上具有下氧化物层、形成在该下氧化物层上的氮化物层、及形成在该氮化物层上的上氧化物层；在该上氧化物层上形成图案化光阻层，并根据该图案化光阻层蚀刻该上氧化物层以形成不连续的上氧化物层，然后去除该图案化光阻层；在不连续的上氧化物层的两侧形成间隔，且每一间隔具有底部宽度d，相邻的两个间隔分隔一距离；以自对准工艺在衬底中植入源极/漏极；顺序去除该上氧化物层和该氮化物层，使被所述间隔覆盖的氮化物层留在该下氧化物层上；去除所述间隔，并根据留下的氮化物层去除该下氧化物层，以在该衬底上形成由该氮化物层和该下氧化物层组成的多个叠层栅极，且每一叠层栅极具有该底部宽度d；在该衬底上形成氧化层以填充所述叠层栅极之间的空隙并覆盖所述叠层栅极，其中该氧化层的厚度大于所述叠层栅极的高度；以及在该氧化层上形成多晶硅层。