| 发明名称 | 包括高介电常数绝缘层的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN1825628A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200610005021.8 | 申请日期 | 2006.01.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 田尚勋;崔圣圭;金桢雨;黄显相;韩祯希;崔相武;朴星昊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/283(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储器件，包括：第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触，所述绝缘层包括Hf硅酸盐、Zr硅酸盐、Y硅酸盐和Ln硅酸盐中的至少一种；和栅电极层，设置在所述绝缘层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||