| 发明名称 | 固态单晶体的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在有反常颗粒生长发生的多晶体中生长单晶体的方法。该方法的特征是通过控制有反常颗粒生长现象发生的多晶体中基体颗粒的平均尺寸，减小反常颗的粒数目密度(单位面积内反常颗粒数目)，从而产生极其有限数目的反常颗粒或在保证反常颗粒生长驱动力的范围内抑制反常颗粒的产生。因此该发明方法在多晶体内仅仅连续生长极其有限数目的反常颗粒或种籽单晶体，以得到尺寸大于50毫米的大的单晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN1692184A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200380100707.X | 申请日期 | 2003.10.09 |
| 申请人 | 赛若朴有限公司 | 发明人 | 李壕用;李钟泛;许泰茂;金董皓 |
| 分类号 | C30B1/02 | 主分类号 | C30B1/02 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种生长固态单晶体材料的方法，它通过热处理方法使多晶体中的反常颗粒生长，包括如下步骤：(a)控制多晶体材料块中基体颗粒的平均大小，从而减小反常颗粒的数目密度(单位面积的反常颗粒数目)；(b)多晶体通过所述的步骤(a)减少了反常颗粒数目密度后，对其进行热处理，从而生长反常颗粒。 | ||
| 地址 | 韩国忠清南道牙山市 | ||