| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer MIS-Struktur auf Siliziumkarbid (SiC) |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE59711968(D1) |
申请公布日期 |
2004.11.04 |
| 申请号 |
DE19975011968 |
申请日期 |
1997.07.03 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SCHOERNER, DR.;FRIEDRICHS, PETER |
| 分类号 |
H01L21/28;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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