改善CMOS数字图像传感器成像质量的γ射线辐照方法

摘要

改善数字CMOS数字图像传感器图像质量用的辐照方法属于图像传感器技术和粒子辐照方法领域。其特征在于：辐照温度为室温，辐照剂量为40～120Krad；在γ射线辐照后进行退火，退火温度为室温至100℃，退火时间为40分钟至15天，退火时间随退火温度的升高而减小，气氛为空气。对于彩色CMOS图像传感器而言，同样在室温下辐照；辐照剂量不大于60Krad为宜。它对于不均匀性较大的CMOS数字图像传感器成像质量的改善效果十分明显，可提高优级品率，也可把不均匀性大而不能出厂的CMOS数字图像传感器变成合格产品，大大提高产品成品率。

主权项

1.一种改善CMOS数字图像传感器成像质量的γ射线辐照方法，其特征在于：辐照温度为室温，辐照剂量为40～120Krad；在γ射线辐照后进行退火，退火温度为室温至100℃，退火时间为40分钟至15天，其退火时间随着退火温度的升高而减少，气氛为空气。