| 发明名称 |
Ausbildung einer elektrischen Verbindung zwischen Strkturen in einem Halbleitersubstrat |
| 摘要 |
Eine elektrische Verbindung zwischen zwei in einem Halbleitersubstrat (1) ausgebildeten Strukturen (2, 3) mit unterschiedlichen Kristall- und/oder Kristallisationsstrukturen wird durch Ausbilden einer zwischen den beiden Strukturen (2, 3) angeordneten Grenzflächenschicht (4) mittels sequentieller Gasphasenabscheidung vorgesehen, wobei die Grenzflächenschicht (4) in verschiedenen Ausbildungen zusätzlich oder alternativ als Ätzstoppschicht, Ätzstoppsignalschicht, Adhäsionsschicht oder Sauerstoff-Diffusionsbarrierenschicht verwendet wird.
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| 申请公布号 |
DE10240106(A1) |
申请公布日期 |
2004.03.11 |
| 申请号 |
DE20021040106 |
申请日期 |
2002.08.30 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HECHT, THOMAS;SCHROEDER, UWE;SEIDL, HARALD;GUTSCHE, MARTIN;JAKSCHIK, STEFAN;KUDELKA, STEPHAN;BIRNER, ALBERT |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/316;H01L21/768;H01L21/8246;H01L27/115;H01L29/08;H01L29/49;(IPC1-7):H01L21/283;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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