发明名称 |
检测低压铁电随机存取存储器的低压检测器和方法及系统 |
摘要 |
一种低压检测器及检测非易失性存储器芯片低压的方法,低压时存储器单元不工作,并且根据电源电压的变化,通过使FeRAM单元的开始和停止的操作点与芯片启动信号同步,可以明确识别激励电压区和去激励电压区,使芯片在阈值电压范围内安全操作。按照这种方法,因为即使在电源电压的阈值电压值区,如电源电压的开/关状态时,芯片也能够安全运行,因此芯片即使在电源电压处于开/关状态下,仍然可以受到保护,而且这种芯片电路设计区域不需要附加电路就能实现高效。 |
申请公布号 |
CN1479361A |
申请公布日期 |
2004.03.03 |
申请号 |
CN02161135.1 |
申请日期 |
2002.12.31 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
姜熙福 |
分类号 |
H01L21/66;G11C29/00 |
主分类号 |
H01L21/66 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
王志森;黄小临 |
主权项 |
1.一种用于非易失性FeRAM芯片的低压检测器,其特征在于,在电源电压到达使FeRAM单元进行开始操作的阈值之前,不管芯片激励信号的变化如何,通过利用外部复位信号使芯片内部控制信号固定在低电平,其中,该低电平的芯片内部控制信号导致强制禁用存储器单元。 |
地址 |
韩国京畿道 |