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Integrierte monolithische Schaltung in SOI-Bauweise, ausgerüstet mit einem SOI-Substrat, das eine Isolierschicht und eine Silizium-Halbleiterschicht mit monokristallinen Bereichen umfasst, und mit einem Kondensator, der eine Grundelektrode, die aus einem monokristallinen Bereich der Silizium-Halbleiterschicht und einer ein Silizid enthaltenden Schicht gebildet ist, ein über der ein Silizid enthaltenden Schicht gebildetes Kondensator-Dielektrikum und eine über dem Kondensator-Dielektrikum gebildete Deckelelektrode umfasst.
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