| 发明名称 | 制造超晶格材料的快速递变退火方法 | ||
| 摘要 | 一种用于形成层状超晶格材料的液态母体被涂覆(324)在集成电路衬底(122,224,508)。利用递变率为每秒50℃的快速递变退火(“RRA”)技术(328),在650℃之维持温度下对该母体涂层在氧气中进行时间为30分钟之维持时间的退火。 | ||
| 申请公布号 | CN1364313A | 申请公布日期 | 2002.08.14 |
| 申请号 | CN01800486.5 | 申请日期 | 2001.02.07 |
| 申请人 | 塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社 | 发明人 | 内山洁;有田浩二;纳拉杨·索拉亚鹏;卡罗斯·A·帕兹德阿罗 |
| 分类号 | H01L27/11;C30B29/68 | 主分类号 | H01L27/11 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蹇炜 |
| 主权项 | 1、一种制造层状超晶格材料之薄膜的方法，包括以下步骤：提供(312)衬底；提供(322)包含有效量内金属组成部分的母体，用于在加热所述母体时形成层状超晶格材料；将所述母体涂覆(324)在所述衬底上以形成涂层；所述方法的特征在于：在500℃至750℃的范围内的维持温度下，对所述涂层进行快速递变退火(“RRA”)(328)，进行时间为在所述维持温度下的5分钟至120分钟范围内之维持时间，在所述衬底上形成所述层状超晶格材料之薄膜(124，226，510)。 | ||
| 地址 | 美国科罗拉多 | ||