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<p>본 발명은, AlGaAs/GaAs의 이종 접합 구조를 포함하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법에 관한 것으로서, 습식 식각 방법을 사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용한다는 점에 그 특징이 있다. 이와 같은 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법을 사용하여 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터를 제조하는 방법은, 반절연성의 GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층, InGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층 및 GaAs 캡층을 순차적으로 형성하는 단계와, GaAs 캡층상에 마스크막 패턴을 형성하는 단계, 및 마스크막 패턴에 의해 상기 GaAs 캡층의 일부 표면이 노출된 개구부를 식각 용액에 담구어 상기 AlGaAs 스페이서층의 일부 표면이 노출되도록 상기 GaAs 캡층을 식각하되, 상기 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용하는 단계를 포함한다.</p> |
