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发明名称 Field effect transistor.
摘要
申请公布号 EP0233725(A2) 申请公布日期 1987.08.26
申请号 EP19870300903 申请日期 1987.02.02
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 KINOSHITA, JUN'ICHI C/O PATENT DIVISION;SUZUKI, NOBUO C/O PATENT DIVISION;MORINAGA, MOTOYASU C/O PATENT DIVISION;HIRAYAMA, YUZO C/O PATENT DIVISION;NAKAMURA, MASARU C/O PATENT DIVISION
分类号 H01L21/306;H01L21/8252;H01L27/15;H01L29/812;H01L33/00;H01S5/02;H01S5/026;H01S5/042;H01S5/062;H01S5/20;H01S5/323;(IPC1-7):H01L29/80;H01S3/19;H01L21/28;H01L21/82;H01L21/76 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
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