发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE.
摘要 <p>Un dispositif de memoire (10) comprend une memoire cellulaire redondante conventionnelle (12). La memoire cellulaire redondante (12) est utilisee pour compenser les donnees stockees dans une cellule de memoire defectueuse (13') d'un groupe principal de cellules de memoire (11) situees dans le dispositif de memoire (10). Des moyens d'adressage (15) pour l'adressage d'une cellule d'un groupe de cellules de memoire ont acces a la fois au groupe principal de cellules de memoire (11) et a la memoire cellulaire redondante (12). Simultanement, les moyens de detection (16) fonctionnent pour detecter si l'information d'adresse (AI) a envoyer aux moyens d'adressage (15) ont adresse la cellule de memoire defectueuse (13') ou non, et des moyens de commutation (17) fonctionnent pour selectionner soit le canal du groupe principal a cellules de memoire (11), soit le canal de la memoire cellulaire redondante (12) en fonction du resultat des moyens de detection (16). Les moyens de commutation (17) sont connectes entre un bus de donnees principal (DBm) cooperant avec le groupe principal a cellules de memoire (11) et un bus de donnees redondant (DBr) cooperant avec la memoire cellulaire redondante (12).</p>
申请公布号 EP0030245(A1) 申请公布日期 1981.06.17
申请号 EP19800901080 申请日期 1980.12.30
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 TATEMATSU, TAKEO
分类号 G11C29/00;(IPC1-7):11C29/00;11C11/34;06F11/16 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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