| 主权项 |
1.一种主动矩阵型液晶显示装置,包含:一组基板(101.201);一液晶(300),系密封于该组基板(101.201)内;复数个资料线(106)及复数个扫描线(102),系以彼此相交之方式配置于该组基板(101.201)其中之一之一表面上;一切换元件,系具有一电流路径,其一端连接至相对应之该资料线(106)之一,以及具有一控制终端,用以连接至相对应之该扫描线(102)之一;一像素电极(112),系透过一绝缘膜配置于该资料线之上,并连接至该切换元件之电流路径之另一端;以及一共通电极(111),系透过该绝缘膜(110)与该资料线(106)相对,俾以在与该像素电极(112)之间产生一电场,且其重叠于该资料线上之部位(111b)具有狭缝(115)。2.如申请专利范围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该共通电极(111)与该像素电极(112)各自具有线状部位(111c、112a),且该共通电极(111)与该像素电极(112)之线状部位(111c、112a)系以实质上平行、相距一预定长度之方式彼此相对应;该重叠部位(111b)系沿着该线状部位(111c、112a)加以配置;以及该狭缝(115)具有实质上与该线状部位(111c、112a)相同之长度。3.如申请专利范围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该狭缝(115)系以实质上位于该重叠部位(111b)之宽度中央之方式形成。4.如申请专利范围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该共通电极(111)之该重叠部位(111b)具有相等于或宽于该资料线(106)之宽度的宽度。5.如申请专利范围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该狭缝(115)具有小于该资料线(106)之宽度的宽度。6.如申请专利范围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该共通电极(111)与该像素电极(112)系形成于同一平面上。7.如申请专利范围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该共通电极(111)与该像素电极(112)系由透明导电材料所形成。8.如申请专利范围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该共通电极(111)与该像素电极(112)系形成于不同平面上。9.如申请专利范围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该共通电极(111)与该像素电极(112)之间,系形成与该组基板(101.201)之方向平行之一电场。10.一种主动矩阵型液晶显示装置,包含:一组基板(101.201);一液晶(300),系密封于该组基板(101.201)之间;复数个资料线(106)及复数个扫描线(102),系以彼此相交之方式配置于该组基板(101.201)其中之一之一表面上;一切换元件,系具有一电流路径,其一端连接至相对应之该资料线(106)之一,以及具有一控制终端,用以连接至相对应之该扫描线(102)之一;一像素电极(112),系透过一绝缘膜(110)配置于该资料线(106)之上,并连接至该切换元件之电流路径之另一端;一共通电极(111),系透过该绝缘膜(110)与该资料线(106)相对,俾以在与该像素电极(112)之间产生一电场,且其重叠于该资料线上之部位(111b)具有狭缝(115);以及一第一导电膜(202a),系配置于该组基板(101.201)之另一个之上,以透过该狭缝(115)与该资料线(106)相对,并且设定成具有与该共通电极(111)相同之电位。11.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该共通电极(111)与该像素电极(112)各自具有线状部位(111c、112a),且该共通电极(111)与该像素电极(112)之线状部位(111c、112a)系以实质上平行、相距一预定长度之方式彼此相对应;该重叠部位(111b)系沿着该线状部位(111c、112a)加以配置;以及该狭缝(115)具有实质上与该线状部位(111c、112a)相同之长度。12.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该狭缝(115)系以实质上位于该重叠部位(111b)之宽度中央之方式形成。13.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置其中,该共通电极(111)之该重叠部位(111b)具有相等于或宽于该资料线(106)之宽度的宽度。14.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该狭缝(115)具有小于该资料线(106)之宽度的宽度。15.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该共通电极(111)与该像素电极(112)系形成于同一平面上。16.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该共通电极(111)与该像素电极(112)系由透明导电材料所形成。17.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该共通电极(111)与该像素电极(112)系形成于不同平面上。18.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,此装置更包含一插塞(118),用以使该第一导电膜(202a)与该共通电极(111)彼此形成电性连接。19.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,更包含:一共通配线(103),系配置于异于该共通电极(111)之一平面,且电性连接至该共通电极(111);以及一插塞(118),系连接至该共通配线(103),并使该第一导电膜(202a)与该共通电极(111)彼此形成电性连接。20.如申请专利范围第19项之主动矩阵型液晶显示装置其中,该装置更包含:一第二导电膜(139a),系配置于该第一导电膜(202a)与该共通配线(103)之间,以加强该第一导电膜(202a)与该共通配线(103)之连接。21.如申请专利范围第20项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该第二导电膜(139a)系由与该共通电极(111)及/或该像素电极(112)相同之材料所形成。22.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,其中,该第一导电膜(202a)系具有相等于或较宽于该狭缝(115)宽度之宽度。23.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,其中该第一导电膜(202a)系作为一黑色矩阵。24.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,更包含一黑色矩阵(202),此黑色矩阵(202)系以一预定图案配置于该组基板(101.201)中之另一个之上,并且由一平坦化膜(204)所覆盖,其中,该第一导电膜(209a)系配置于该平坦化膜(204)之上。25.如申请专利范围第24项之主动矩阵型液晶显示装置,其中该第一导电膜(202a)具有实质上与该黑色矩阵相同之一图案。26.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液晶显示装置,其中该共通电极(111)与该像素电极(112)之间,系形成与该组基板(101.201)之方向平行之一电场。27.一种主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,该液晶显示装置包含一组基板(101.201)、配置于该组基板(101.201)其中之一上之一薄膜电晶体、连接至该薄膜电晶体之一汲极之资料线(106)、连接至该薄膜电晶体之一源极之一像素电极(112),及与该像素电极(112)间产生电场之一共通电极(111),该方法包含:于该资料线(106)上形成一绝缘膜(110);于该绝缘膜(110)上形成一第一金属膜(131);及藉由图案化该第一金属膜(131),以形成该共通电极(111),且在该共通电极(111)重叠于该资料线之部位(111b),形成狭缝(115)。28.如申请专利范围第27项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,更包含:使该像素电极(112)以具有一预定长度之线状部位(112a)之形状加以形成;其中,在形成该共通电极(111)之步骤中,会形成与该像素电极(112)之线状部位(112a)相对之部位(111c),以及具有实质上与该线状部位(112a)相同长度之该狭缝(115)。29.如申请专利范围第27项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中,在形成该共通电极(111)之步骤中,该狭缝(115)系形成于实质上为该重叠部位(111b)之宽度中央的位置。30.如申请专利范围第27项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中,在形成该共通电极(111)之步骤中,该共通电极(111)之该重叠部位(111b)系形成具有相等于或较宽于该资料线(106)宽度之宽度。31.如申请专利范围第27项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中,在形成该共通电极(111)之步骤中,该狭缝(115)系形成具有较小于该资料线(106)宽度之宽度。32.如申请专利范围第27项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中该共通电极与该像素电极系实质上于同一步骤中形成。33.一种主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,该液晶显示装置包含一组基板(101.201)、配置于该组基板(101.201)其中之一上之一薄膜电晶体、连接至该薄膜电晶体之一汲极之资料线(106)、连接至该薄膜电晶体之一源极之一像素电极(112),及与该像素电极(112)间产生电场之一共通电极(111),该方法包含:形成覆盖该资料线(106)之一绝缘膜(110);于该绝缘膜(110)上形成一第一金属膜(131);藉由图案化该第一金属膜(131),以形成该共通电极(111),并且在该共通电极(111)重叠于该资料线(106)之部位(111b),形成狭缝(115);及于该组基板(101.201)中之另一个上形成一第一导电膜(202a),该第一导电膜(202a)系透过该狭缝(115)与该资料线(106)相对应。34.如申请专利范围第33项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,更包含:使该像素电极以具有一预定长度之线状部位之形状加以形成;其中,在形成该共通电极(111)之步骤中,会形成与该像素电极(112)之该线状部位(112a)相对之部位(111c),以及具有实质上与该线状部位(112a)相同长度之该狭缝(115)。35.如申请专利范围第33项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中,在形成该共通电极(111)之步骤中,该狭缝(115)系形成于实质上为该重叠部位(111b)之宽度中央的位置。36.如申请专利范围第33项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中,在形成该共通电极(111)之步骤中,该共通电极(111)之该重叠部位(111b)系形成具有相等于或较宽于该资料线(106)宽度之宽度。37.如申请专利范围第33项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中,在形成该共通电极(111)之步骤中,该狭缝(115)系形成具有较小于该资料线(106)宽度之宽度。38.如申请专利范围第33项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中,该共通电极(111)与该像素电极(112)系实质上于同一步骤中形成。39.如申请专利范围第33项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中,该共通电极(111)系连接至一共通配线(103),而该共通配线(103)系配置于与形成共通电极(111)之平面相异之一平面上;以及该方法更包含形成一插塞(118)之步骤,俾以使该共通配线(103)与该第一导电膜(202a)彼此形成电性连接。40.如申请专利范围第39项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,更包含:在该共通配线(103)与该插塞(118)之间形成一第二导电膜(139a)。41.如申请专利范围第40项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中,该第二导电膜(139a)系与该共通电极(111)及/或该像素电极(112)于同一步骤中形成。42.如申请专利范围第33项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,更包含:于该组基板(101.201)之另一个之一表面上,形成具有一预定图案之一黑色矩阵(202);以及于该黑色矩阵(202)上方形成一平坦化膜(204),其中,该第一导电膜(209a)系形成于该平坦化膜(204)之上。43.如申请专利范围第42项之主动矩阵型液晶显示装置之制造方法,其中,在形成该第一导电膜(209a)之步骤中,该第一导电膜(209a)系形成具有与该黑色矩阵(202)相同之一图案。图式简单说明:图1显示本发明第1实施例之主动矩阵型液晶显示装置之一整体结构;图2为图1之局部放大图;图3为本发明第1实施例之一单位像素区域之平面布局图;图4为图3沿着A-A线之剖面图;图5显示TFT基板所包含之元件的图案;图6显示TFT基板所包含之元件的图案;图7为资料线上方之电场之示意图;图8A至8J逐步地显示第1实施例之TFT基板之制造过程;图9为根据第1实施例改良之TFT基板之平面布局图;图10为本发明第2实施例之主动矩阵型液晶显示装置之横剖面图;图11为本发明第3实施例之主动矩阵型液晶显示装置之横剖面图;图12为本发明第4实施例之主动矩阵型液晶显示装置之横剖面图;图13为本发明第5实施例之主动矩阵型液晶显示装置之横剖面图;图14为一习知主动矩阵型液晶显示装置之一平面布局图;图15为图14沿着P-P线之横剖面图;图16为一习知主动矩阵型液晶显示装置之一平面布局图;图17为图16沿着Q-Q线之横剖面图。 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