发明名称 |
BiCMOS工艺中寄生垂直PNP及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种BiCMOS工艺中寄生垂直PNP的制备方法,包括以下步骤:1.埋入层离子注入、N型外延生长、有源区形成;2.下沉连接层离子注入;3.CMOS的P阱隔离离子注入;4.CMOS的N阱注入;5.氧化退火处理形成一层薄氧化膜并生长基极多晶硅并注入硼作为P型的发射极;最后,刻蚀掉非垂直PNP区域的基极多晶硅。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中寄生垂直PNP,以P阱隔离离子注入为集电极;以CMOS的N阱反击穿离子注入为基极;以注入硼的基极多晶硅作为发射极。本发明通过调整N阱和P阱的离子注入条件而不用增加光罩和其他成本制备寄生的垂直型PNP三极管,提高放大系数以及截止频率等。 |
申请公布号 |
CN101459130A |
申请公布日期 |
2009.06.17 |
申请号 |
CN200710094506.3 |
申请日期 |
2007.12.14 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
徐炯;周正良 |
分类号 |
H01L21/8228(2006.01)I;H01L27/082(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8228(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
1. 一种BiCMOS工艺中寄生垂直PNP的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,在P型衬底上进行埋入层离子注入作为埋入层、N型外延生长以及形成有源区;第二步,下沉连接层离子注入,作为垂直PNP的基极引出区;第三步,进行CMOS的P阱隔离离子注入的同时也在垂直PNP区域打开进行注入,并由此形成垂直PNP集电极,该离子注入深度穿透场氧化层以及N型外延层;第四步,CMOS的N阱反击穿离子注入,作为垂直PNP基极;第五步,对晶圆进行氧化退火处理形成一层二氧化硅膜,再生长基极多晶硅,并在垂直PNP区域注入硼作为P型的发射极;最后,通过刻蚀将非垂直PNP区域的基极多晶硅去掉。 |
地址 |
201206上海市浦东新区川桥路1188号 |