围绕凸块形成区形成具有多层UBM的凸块结构的半导体器件和方法

摘要

一种具有在其有效表面上形成的第一导电层的半导体晶圆。在所述基片和所述第一导电层上形成第一绝缘层。在所述第一导电层和所述第一绝缘层上形成第二导电层。在所述第二导电层上围绕凸块形成区形成UBM层。所述UBM层可以是两层堆叠的金属层或三层堆叠的金属层。所述第二导电层被暴露在所述凸块形成区中。在所述UBM层和所述第二导电层上形成第二绝缘层。在所述凸块形成区和所述UBM层的一部分上去除所述第二绝缘层的一部分。在所述凸块形成区中的所述第二导电层上形成凸块。所述凸块接触所述UBM层以密封所述凸块和所述第二导电层之间的接触界面。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供基片；在所述基片上形成第一导电层；在所述基片上形成第一绝缘层；在所述第一导电层和第一绝缘层上形成种晶层；在所述种晶层之上形成第二导电层，其中所述种晶层工作为针对所述第二导电层的第一阻挡层和润湿层；在所述第二导电层上围绕互连形成区通过如下方式形成凸块下金属化UBM：(a)在所述第二导电层的相对于所述种晶层的表面之上形成第二阻挡层；以及(b)在所述第二阻挡层之上相对于所述第二导电层的表面形成第一粘合层，其中所述第二导电层的一部分被暴露在所述互连形成区中；在所述UBM和在所述互连形成区之外的第二导电层之上形成第二绝缘层，以及在所述第二导电层的所述暴露的部分上形成互连结构，并且其中所述互连结构在所述互连形成区中接触所述第二绝缘层，以防止所述第二绝缘层的层离，并且进一步接触所述互连形成区内的所述第二导电层的所述暴露的部分。