发明名称 |
紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种紫外GaN基LED外延结构及其制造方法,LED外延结构依次包括:衬底;低温缓冲层;高温u‑GaN层;高温n‑GaN层;低温AlGaN/GaN超晶格层;低温InGaN/AlGaN紫外发光层;高温p‑AlGaN电子阻挡层;高温p‑GaN层。本发明采用低温AlGaN/GaN超晶格层取代传统的InGaN/GaN应力释放层,通过调整低温AlGaN/GaN超晶格层的生长工艺,可以沿着位错缺陷产生V‑pits,从而阻挡载流子在位错缺陷处产生非辐射复合。 |
申请公布号 |
CN105742415A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201610114803.9 |
申请日期 |
2016.03.01 |
申请人 |
聚灿光电科技股份有限公司 |
发明人 |
冯猛;陈立人;刘恒山 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 |
代理人 |
杨林洁 |
主权项 |
一种紫外GaN基LED外延结构,其特征在于,所述LED外延结构依次包括:衬底;位于所述衬底上的低温缓冲层;位于所述低温缓冲层上的高温u‑GaN层;位于所述高温u‑GaN层上的高温n‑GaN层;位于所述高温n‑GaN层上的低温AlGaN/GaN超晶格层,所述低温AlGaN/GaN超晶格层包括层叠设置的低温AlGaN层和低温GaN层;位于所述低温AlGaN/GaN超晶格层上的低温InGaN/AlGaN紫外发光层,所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层包括层叠设置的低温InGaN量子阱层和低温AlGaN量子垒层,所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层的发光波长为365~390nm;位于所述低温InGaN/AlGaN紫外发光层上的高温p‑AlGaN电子阻挡层;位于所述高温p‑AlGaN电子阻挡层上的高温p‑GaN层。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 |