| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。一示例器件可以包括：在衬底上形成的栅堆叠；在衬底中相对于栅堆叠处于相对侧的源区和漏区；以及自对准于栅堆叠下方、位于源区和漏区之间的超陡后退阱。 | ||
| 申请公布号 | CN105489606A | 申请公布日期 | 2016.04.13 |
| 申请号 | CN201410482911.2 | 申请日期 | 2014.09.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;钟健 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：在衬底上形成的栅堆叠；在衬底中相对于栅堆叠处于相对侧的源区和漏区；以及自对准于栅堆叠下方、位于源区和漏区之间的超陡后退阱。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||