存储单元

摘要

本发明公开了一种存储单元和阵列以及一种形成存储单元和阵列的方法。一个实施例是一种存储单元，包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体管、第一传输门晶体管和第二传输门晶体管以及第一隔离晶体管和第二隔离晶体管。该第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的漏极在第一节点电连接在一起。该第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的漏极在第二节点电连接在一起。该第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的栅极电连接至该第一节点，并且该第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的栅极电连接至该第二节点。该第一传输门晶体管和第二传输门晶体管分别电连接至该第一和第二节点。该第一隔离晶体管和第二隔离晶体管分别电连接至该第一和第二节点。

主权项

一种存储单元，包括：第一上拉晶体管以及第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管的漏极在第一节点电连接至所述第一下拉晶体管的漏极；第二上拉晶体管以及第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管的漏极在第二节点电连接至所述第二下拉晶体管的漏极，所述第二上拉晶体管的栅极和所述第二下拉晶体管的栅极电连接至所述第一节点，所述第一上拉晶体管的栅极和所述第一下拉晶体管的栅极电连接至所述第二节点；第一传输门晶体管，电连接至所述第一节点；第二传输门晶体管，电连接至所述第二节点；第一隔离晶体管，电连接至所述第一节点；以及第二隔离晶体管，电连接至所述第二节点，其中，所述第一隔离晶体管和所述第二隔离晶体管对所述存储单元工作的影响可忽略。