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Eine Halbleitereinrichtung wird geschaffen und enthält einen Wafer mit ersten und zweiten gegenüberliegenden metallisierten Hauptflächen und einen Transistor, der an die erste metallisierte Fläche des Wafers gebondet ist. Der Transistor weist eine erste Oberfläche auf, und die erste Oberfläche definiert eine erste Fläche. Die Einrichtung enthält ferner eine erste Metallschicht, die an die erste Oberfläche des Transistors gebondet ist. Die erste Metallschicht weist eine erste Oberfläche auf, die eine zweite Fläche definiert, die größer als die erste Fläche des Transistors ist. Die Einrichtung enthält ferner eine Keramikschicht, die an die erste Oberfläche der ersten Metallschicht gebondet ist.
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