发明名称 |
用以制造液晶显示装置用之阵列基板的方法以及蚀刻铜系金属层之方法及其蚀刻剂组成物 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI512832 |
申请公布日期 |
2015.12.11 |
申请号 |
TW099124301 |
申请日期 |
2010.07.23 |
申请人 |
东友精细化工有限公司 |
发明人 |
崔容硕;李石;尹暎晋;李铉奎;李武让 |
分类号 |
H01L21/336;H01L29/786;G02F1/136;C23F1/18 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
赖正健 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;陈家辉 台北市大安区敦化南路2段71号18楼 |
主权项 |
一种制造液晶显示装置用之阵列基板的方法,其包含:使用蚀刻剂组成物蚀刻沉积在基板上之铜系金属层而形成闸极;形成使该闸极绝缘之闸极绝缘层;在该闸极绝缘层上形成半导体层;形成使该半导体层绝缘之绝缘层;在使该半导体层绝缘之该绝缘层上形成铜系金属层;使用该蚀刻剂组成物蚀刻该铜系金属层而形成源极/汲极;及形成电连接该汲极之像素电极;该蚀刻剂组成物按组成物之总重量计系包含:a)2~30重量%之过氧化氢(H2O2);b)0.1~5重量%之硝酸(HNO3);c)0.01~1.0重量%之至少一种含氟化合物;d)0.1~5重量%之至少一种唑化合物;e)0.1~8.0重量%之至少一种咪唑化合物;f)0.01~5重量%之磷酸;及g)其余为水;该蚀刻剂组成物系不包含羧酸及磷酸盐。 |
地址 |
南韩 |