发明名称 玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法与设备
摘要
申请公布号 TWI476826 申请公布日期 2015.03.11
申请号 TW100106074 申请日期 2011.02.23
申请人 三福化工股份有限公司 发明人 王耀铭
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 许庆祥 高雄市前镇区复兴四路12号3楼之7
主权项 一种玻璃基板连续结晶式化学蚀刻方法,包含:提供一蚀刻槽与一蚀刻液循环结晶装置,该蚀刻槽内储有至少包含氢氟酸之蚀刻液,该蚀刻液循环结晶装置系包含一结晶槽、一第一过滤器与一加热装置,该第一过滤器系连接在该结晶槽与该加热装置之间;以及进行一玻璃基板减薄步骤,令装载有复数个玻璃基板之卡匣置入该蚀刻槽内,以化学蚀刻方式薄化该些玻璃基板之厚度,在化学蚀刻过程中同时藉由一第一管线持续使该蚀刻槽内蚀刻液输送到该结晶槽,并保持在该结晶槽内蚀刻液温度低于在该蚀刻槽内蚀刻液温度,令该结晶槽内蚀刻液长晶生成结晶,其中未沉淀于该结晶槽底部之结晶在流入该加热装置之前先以该第一过滤器过滤出,并于该加热装置内藉由至少包含补充浓蚀刻液的稀释热方式上升蚀刻液温度与浓度,再藉由一第二管线导入至该蚀刻槽,使在化学蚀刻过程中在该蚀刻槽内之蚀刻液保持为未饱和状态,避免该蚀刻槽内生成结晶而附着在该些玻璃基板之表面。
地址 台北市中山区中山北路2段21号5楼