Semiconductor Device Having Three Dimensional Memory Cells And Methods Of Operating And Fabricating The Same
摘要
<p>3차원 반도체 장치, 그 동작 방법 및 제조 방법이 제공된다. 이 장치는 제 1 및 2 배선 구조체들, 그리고 제 1 및 제 2 배선 구조체들을 병렬로 연결하는 복수의 셀 스트링들을 구비한다. 이때, 셀 스트링들 각각은 직렬로 연결된 메모리 셀 트랜지스터들 및 제 1 배선 구조체와 이에 인접하는 메모리 셀 트랜지스터를 직렬로 연결하는 복수의 제 1 선택 트랜지스터들을 구비한다.</p>
