包含闸极图样、多通道主动图样与扩散层之半导体装置及用于制造其之方法;SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING GATE PATTERN, MULTI-CHANNEL ACTIVE PATTERN AND DIFFUSION LAYER, AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

摘要

一种半导体装置包含:一闸极图样,系在一基材上;一多通道主动图样,系在该闸极图样下方且与该闸极图样交叉并且具有一未重叠该闸极图样之第一区域及一重叠该闸极图样之第二区域;一扩散层,系在该多通道主动图样中沿该第一区域之外周缘且包括具有一浓度之一杂质;及一衬垫,系在该多通道主动图样上,且该衬垫延伸在该第一区域之侧表面上并且未延伸在该第一区域之一顶表面上。亦揭露相关之制造方法。