发明名称 |
计算补偿电压与调整门槛值电压之方法及记忆体装置与控制器 |
摘要 |
一种计算补偿电压与调整门槛值电压之方法及记忆体装置与控制器。在本发明中,写入资料至可复写式非挥发性记忆体,再读取可复写式非挥发性记忆体中的资料,藉由比对方式而获得错误位元资讯。依据错误位元资讯,计算门槛值电压的补偿电压,进而依据补偿电压调整门槛值电压。 |
申请公布号 |
TWI447733 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
申请号 |
TW099111612 |
申请日期 |
2010.04.14 |
申请人 |
群联电子股份有限公司 苗栗县竹南镇群义路1号 |
发明人 |
曾建富;赖国欣;梁立群 |
分类号 |
G11C16/06 |
主分类号 |
G11C16/06 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种调整门槛值电压的方法,适用于一可复写式非挥发性记忆体,该方法包括:写入一资料至该可复写式非挥发性记忆体中;从该可复写式非挥发性记忆体中读取该资料,其中该资料至少对应至该可复写式非挥发性记忆体的多个储存状态的其中之一,其中该些储存状态的电压范围是由至少一门槛值电压来区分;比对所读取的资料与所写入的资料获得一错误位元资讯;依据该错误位元资讯计算该门槛值电压的补偿电压;以及藉由该补偿电压来调整该门槛值电压。 |
地址 |
苗栗县竹南镇群义路1号 |