| 发明名称 | 一种具有高维持电压的SCR结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有高维持电压的SCR结构及其制作方法。所述SCR结构包括P型衬底，P型衬底上设有N阱和P阱，所述P阱上设有条形第一N+注入区，第一N+注入区的周边设有环状的第一P+注入区，第一N+注入区与第一P+注入区之间设有第三场氧隔离区，所述N阱上设有并列的第二N+注入区、第二P+注入区，第二N+注入区与P型衬底之间设有第一场氧隔离区，第二P+注入区与第一P+注入区之间设有第二场氧隔离区，第一P+注入区与P型衬底之间设有第四场氧隔离区。本发明采用环形的阴极（阳极）保护环，可以大大提高SCR结构的维持电压，使芯片远离闩锁风险。并且制作工艺简单、操作方便。 | ||
| 申请公布号 | CN103730461A | 申请公布日期 | 2014.04.16 |
| 申请号 | CN201410017808.0 | 申请日期 | 2014.01.16 |
| 申请人 | 湘潭大学 | 发明人 | 金湘亮;周阿铖; |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 湘潭市汇智专利事务所 43108 | 代理人 | 颜昌伟 |
| 主权项 | 一种具有高维持电压的SCR结构，其特征在于：包括P型衬底(101)，P型衬底上设有N阱(102)和P阱(103)，所述P阱(103)上设有条形第一N+注入区(104)，第一N+注入区(104)的周边设有环状的第一P+注入区(105)，第一N+注入区(104)与第一P+注入区(105)之间设有第三场氧隔离区(203)，所述N阱(102)上设有并列的第二N+注入区(106)、第二P+注入区(107)，第二N+注入区(106)与P型衬底之间设有第一场氧隔离区(201)，第二P+注入区(107)与第一P+注入区(105)之间设有第二场氧隔离区(202)，第一P+注入区(105)之间与P型衬底之间设有第四场氧隔离区(204)。 | ||
| 地址 | 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘 | ||