首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
Amusement device
摘要
申请公布号
US2108430(A)
申请公布日期
1938.02.15
申请号
US19350013411
申请日期
1935.03.28
申请人
COOKSON CLARENCE F
发明人
COOKSON CLARENCE F.
分类号
A63F9/18
主分类号
A63F9/18
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
防水连接器;WATERPROOF CONNECTOR
梳型电极、其制造方法、及二次电池
电子零件及其制法、密封材料糊、塡充物粒子
发光元件、发光装置、电子装置、及照明装置;LIGHT-EMITTING ELEMENT, LIGHT-EMITTING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE
在ＯＬＥＤｓ中具有高导电度及高效能之透明层及其制造方法;TRANSPARENT LAYERS OF HIGH CONDUCTIVITY AND HIGH EFFICIENCY IN OLEDS AND PROCESS FOR THEIR RPODUCTION
太阳电池的制造方法;METHOD FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC CELL
透过递送分裂雷射脉冲之改良钝化层之移除;IMPROVED PASSIVATION LAYER REMOVAL BY DELIVERING A SPLIT LASER PULSE
太阳能电池及其制造方法;SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
薄膜场效型电晶体
半导体装置及使用其之电力转换装置;SILICON POWER DEVICE AND POWER CONVERSION EQUIPMENT PROVIDED WITH THE SAME
制备具有经径向膨胀而得之减低之应变之异质结构的方法及装置;PROCESSES AND APPARATUS FOR PREPARING HETEROSTRUCTURES WITH REDUCED STRAIN BY RADIAL DISTENSION
用于高速低剖面记忆体封装及插脚输出设计的系统及方法;SYSTEMS AND METHODS FOR HIGH-SPEED, LOW-PROFILE MEMORY PACKAGES AND PINOUT DESIGNS
互连结构及方法;INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD
半导体结构及其制造方法;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
具有后钝化互连结构之半导体元件及形成具有后钝化互连结构之半导体元件之方法;SEMICONDUCTOR DEVICE WITH POST-PASSIVATION INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME
半导体记忆装置
树脂成型模具、树脂成型装置、树脂成型方法以及树脂成型模具之评价方法;RESIN MOLDING DIE SET, RESIN MOLDIMNG APPARATUS, RESIN MOLDING METHOD AND EVALUATION METHOD FOR RESIN MOLDING DIE SET
用于固态硬碟（ＳＳＤ）应用，不同密度组态及直接反及闸（ＮＡＮＤ）存取之统一印刷电路板（ＰＣＢ）设计;UNIFIED PCB DESIGN FOR SSD APPLICATIONS, VARIOUS DENSITY CONFIGURATIONS, AND DIRECT NAND ACCESS
用于三维装置的镶嵌式导体;DAMASCENE CONDUCTOR FOR A 3D DEVICE
