发明名称 |
一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件 |
摘要 |
本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件,包括P-衬底层;P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱,N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区;N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区;P-阱上并排设有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区;第一N+有源注入区和第一P+有源注入区通过第一金属电极相连,第二P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连。本发明通过在可控硅器件中内嵌齐纳管结构,利用齐纳管作为辅助触发单元,可以进一步有效降低可控硅的触发电压,实现低触发电压的ESD防护,使得可控硅可直接应用于电源域为1.2~5V的深亚微米集成电路芯片的ESD防护。 |
申请公布号 |
CN102569374A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210015046.1 |
申请日期 |
2012.01.18 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
董树荣;吴健;黄丽;苗萌;曾杰;马飞;郑剑锋 |
分类号 |
H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/74(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
代理人 |
胡红娟 |
主权项 |
一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件,其特征在于,包括:P‑衬底层(10);所述的P‑衬底层(10)上设有N‑阱(21)和P‑阱(22),所述的N‑阱(21)与P‑阱(22)并排相连;所述的N‑阱(21)与P‑阱(22)的接合处上设有第三N+有源注入区(33);所述的N‑阱上(21)并排设有第一N+有源注入区(31)和第一P+有源注入区(41);所述的第一P+有源注入区(41)位于第一N+有源注入区(31)和第三N+有源注入区(33)之间;所述的P‑阱(22)上并排设有第二P+有源注入区(42)和第二N+有源注入区(32);所述的第二P+有源注入区(42)位于第二N+有源注入区(32)和第三N+有源注入区(33)之间;所述的第一N+有源注入区(31)和第一P+有源注入区(41)通过第一金属电极(51)相连,所述的第二P+有源注入区(32)和第二N+有源注入区(42)通过第二金属电极(52)相连。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |