| 发明名称 | 具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管。具体地说，提供了一种能够改善发光效率及其可靠性并且还能够实现大规模生产的具有垂直拓扑的发光二极管。该发光二极管包括：包括多个半导体层的半导体结构；设置在所述半导体结构的第一表面上的第一电极；设置在所述第一电极的一部分上并且设置在所述半导体结构的至少一个表面上的钝化层；设置在所述第一电极和所述钝化层上的连接金属层；设置在所述半导体结构的第二表面上的第二电极；和设置在所述连接金属层上的支撑层，其中，所述连接金属层包括：电连接到所述第一电极的第一金属层；设置在所述第一金属层上的扩散阻挡层；和设置在所述扩散阻挡层上的第二金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN101485000B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200780023663.3 | 申请日期 | 2007.01.26 |
| 申请人 | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 张峻豪;崔在完;裵德圭;曺贤敬;朴种国;金善正;李政洙 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 一种具有垂直拓扑的发光二极管，该发光二极管包括：包括多个半导体层的半导体结构；设置在所述半导体结构的第一表面上的第一电极；设置在所述第一电极的一部分上并且设置在所述半导体结构的至少一个表面上的钝化层；设置在所述第一电极和所述钝化层上的连接金属层；设置在所述半导体结构的第二表面上的第二电极；和设置在所述连接金属层上的支撑层，其中，所述连接金属层包括：电连接到所述第一电极的第一金属层；设置在所述第一金属层上的扩散阻挡层；和设置在所述扩散阻挡层上的第二金属层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||