发明名称 多层光刻模板
摘要 本发明涉及半导体器件、微电子器件、微机电器件、微流体器件、光子器件,更具体地涉及一种多层光刻模板、一种形成多层光刻模板的方法,以及一种使用多层光刻模板形成器件的方法。所述多层光刻模板(10/10′)具有第一凸版结构和第二凸版结构,从而限定了多层凸版图像。模板在半导体器件(40)制造中通过如下方式来影响器件(40)中的图案:在非常接近其上面形成有辐射敏感材料的半导体器件(40)处安置模板,并且施加压力使辐射敏感材料流入模板上存在的多层凸版图像中。然后,穿过多层模板施用辐射,使得进一步固化辐射敏感材料部分,并且进一步限定辐射敏感材料中的图案。然后,除去多层模板,完成半导体器件(40)的制造。
申请公布号 CN1662852B 申请公布日期 2010.10.27
申请号 CN03814162.0 申请日期 2003.06.03
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 戴维·P.·曼斯尼;道格拉斯·J.·瑞斯尼克
分类号 G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 王永刚
主权项 一种形成多层光刻模板的方法,其包含下列步骤:提供透明衬底,所述衬底具有表面;在所述衬底上形成第一蚀刻阻挡层;在所述第一蚀刻阻挡层上形成第一图案化层;在所述第一图案化层的表面上形成图案化的抗蚀剂层;蚀刻第一图案化层,从而限定第一图案化的层;除去图案化的抗蚀剂层;在第一图案化的层的表面上形成第二蚀刻阻挡层;在所述第二蚀刻阻挡层上形成第二图案化层;在第二图案化层的表面上形成图案化的抗蚀剂层;蚀刻第二图案化层,从而限定第二图案化的层;及除去图案化的抗蚀剂层,其中蚀刻第一图案化层的步骤包括限定具有尺寸“x”的第一图案化的层的步骤,并且蚀刻第二图案化层的步骤包括限定具有尺寸“y”的第二图案化的层的步骤,其中“x”大于“y”。
地址 美国得克萨斯