发明名称 |
镶嵌结构的位元线接触窗插塞的制作方法 |
摘要 |
一种镶嵌结构的位元线接触窗插塞的制作方法,是先于两相邻栅极导电结构的间隙内制作一电连接底垫,再于一层间介电层中进行位元线接触窗的蚀刻,进而在电连接底垫上制作一位元线接触窗插塞。 |
申请公布号 |
CN1290172C |
申请公布日期 |
2006.12.13 |
申请号 |
CN03136553.1 |
申请日期 |
2003.05.23 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
陈逸男;林正平;林智清;毛惠民 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/3205(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王一斌 |
主权项 |
1.一种镶嵌结构的位元线接触窗插塞的制作方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该基底表面上包含有一第一栅极导电结构以及一第二栅极导电结构,而该基底内包含有一源/漏区域,其中该源/漏区域位于该第一栅极导电结构以及该第二栅极导电结构的空隙内;形成一第一导电层于该第一栅极导电结构以及该第二栅极导电结构的空隙内,且与该源/漏区域形成电性连接;形成一第二衬线层于该第一导电层的表面上;形成一第一层间介电层于该基底表面上,以覆盖该第二衬线层、该第一栅极导电结构以及该第二栅极导电结构;进行化学机械研磨制程,以使该第一层间介电层的表面高度切齐于该第二衬线层的表面;形成一第二层间介电层,以覆盖该第一层间介电层以及该第二衬线层的表面;图案化该第二层间介电层,以形成一位元线接触窗于该第二层间介电层内,以暴露该第一导电层的顶面;形成一第二导电层于该位元线接触窗内,则该第一导电层以及该第二导电层是构成为一镶嵌结构的位元线接触窗插塞。 |
地址 |
台湾省桃园县 |