发明名称 |
半导体装置与其之制造方法 |
摘要 |
半导体装置包含基板、异质结构体、保护层、源极、汲极与闸极。异质结构体置于基板上,异质结构体包含第一半导体层、遮罩层、成长层与第二半导体层。第一半导体层置于基板上。遮罩层置于部份之第一半导体层上。成长层置于第一半导体层上,且毗邻遮罩层设置。成长层包含主体部与至少一倾斜部。第二半导体层置于遮罩层与成长层上。保护层置于第二半导体层上,且至少置于遮罩层与成长层之倾斜部的上方。源极与汲极分别与异质结构体电性耦合。闸极置于保护层上,置于源极与汲极之间,并至少置于成长层之倾斜部上方。 |
申请公布号 |
TWI535007 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
申请号 |
TW103102864 |
申请日期 |
2014.01.27 |
申请人 |
国立中央大学;台达电子工业股份有限公司 |
发明人 |
綦振瀛;李庚谚;沈炜凯;薛清全;邢泰刚 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
一种半导体装置,包含:一基板;一异质结构体,置于该基板上,该异质结构体包含:一第一半导体层,置于该基板上;一遮罩层,置于部份之该第一半导体层上;一成长层,置于该第一半导体层上,且毗邻该遮罩层设置,该成长层包含一主体部与至少一倾斜部,该主体部与该倾斜部皆具有一上表面,其中该遮罩层具有面向该第一半导体层之一下表面,该主体部之该上表面与该遮罩层之该下表面系非共平面,且该倾斜部之该上表面自该主体部之该上表面,沿着一夹角倾斜至该遮罩层之该下表面;以及一第二半导体层,置于该遮罩层与该成长层上;一保护层,置于该第二半导体层上,且至少置于该遮罩层与该成长层之该倾斜部的上方;一源极与一汲极,分别与该异质结构体电性耦合;以及一闸极,置于该保护层上,置于该源极与该汲极之间,并至少置于该成长层之该倾斜部上方。 |
地址 |
桃园市中坜区中大路300号;桃园市龟山区山莺路252号 |