| 发明名称 | 半导体元件钝化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种针对具有至少两种不同类型晶体管(例如PMOS晶体管与NMOS晶体管)的半导体元件的钝化方法。该半导体元件被置入一加压密闭反应室中，并且通入至少两种钝化气体。由于可以透过选择适当的钝化气体，使得其中一种气体适合于钝化PMOS晶体管，以及使另一种气体适合于钝化NMOS晶体管，因此本发明的方法可以使PMOS晶体管以及NMOS晶体管两者的钝化皆得到良好的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1610074A | 申请公布日期 | 2005.04.27 |
| 申请号 | CN200310102734.2 | 申请日期 | 2003.10.22 |
| 申请人 | 统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 蔡耀铭;张世昌;邓德华;王士宾 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/324;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件的钝化方法，至少包含：将一半导体元件置于一反应室之中，且该半导体元件具有一第一型晶体管及一第二型晶体管；将一第一钝化气体及一第二钝化气体通入该反应室之中；以及加热该半导体元件，直到足以对该半导体元件产生钝化为止。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业区苗栗县 | ||