| 主权项 |
1.一种具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,包括下列步骤:(a)形成一多晶矽层于一基板的部分表面上,其中该多晶矽层用以作为一电容器之下电极;(b)形成一氧化铝层(A1xOy)于该多晶矽层及该基板上;(c)形成一五氧化二钽层于该氧化铝层上;(d)对该五氧化二钽层进行一后氧化处理;以及(e)形成一导电层以作为该电容器之上电极。2.如申请专利范围第1项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中在步骤(b)中,形成该氧化铝层于该多晶矽层上之制造方法系采用AL(Atomic-Level/Layer)CVD法。3.如申请专利范围第2项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中该氧化铝层系三氧化二铝层(Al2O3)。4.如申请专利范围第3项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中形成该三氧化二铝层的该ALCVD法之条件系通入A1(CH3)3+H2O或A1(CH3)3+O2或A1(CH3)3+O3气体,控制温度于200~500℃。5.如申请专利范围第1项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中在步骤(c)中,形成该五氧化二钽层于该氧化铝层上之制造方法系采用CVD法。6.如申请专利范围第5项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中形成该五氧化二钽层的该CVD法之条件系通入Ta(OC2H5)5+O2气体,控制温度于350~450℃,压力系0.1~5torr。7.如申请专利范围第1项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中在步骤(d)中之该后氧化处理之条件系通入O2或N2O或NO气体,控制温度于400~800℃,时间系30秒~30分钟。8.如申请专利范围第1项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中当作是上电极的该导电层系金属层。9.如申请专利范围第8项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中该金属层系选自TiN、TaN、W、WN、WSi、Ru、Pt中之一种。10.如申请专利范围第1项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中在步骤(a)中,于上述基板上形成一多晶矽层之后,更包括对该多晶矽层进行一表面处理,用以除去该多晶矽层上的初生氧化矽层(native siliconoxide layer)以及洗净。11.如申请专利范围第10项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中该表面处理系DHF、SC1或SPM处理。12.如申请专利范围第1项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中在步骤(b)中形成该氧化铝层于该多晶矽层上之后,更包括对该氧化铝层进行一后氧化处理。13.如申请专利范围第12项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中该后氧化处理之条件系通入O2或N2O或NO气体,控制温度于400~800℃,时间系30秒~30分钟。14.一种具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,包括下列步骤:(a)形成一多晶矽层于一基板的部分表面上,其中该多晶矽层用以作为一电容器之下电极;(b)形成致密的一氧化铝层(A1xOy)于该多晶矽层及该基板上,其中该氧化铝层系由ALCVD法所形成,该氧化铝层用以阻挡外界氧原子或分子穿越该氧化铝层;(c)形成一五氧化二钽层于该氧化铝层上;(d)对该五氧化二钽层进行一后氧化处理;以及(e)形成一导电层以作为该电容器之上电极。15.如申请专利范围第14项所述之具五氧化二钽介电层之电容器的制造方法,其中形成该氧化铝层的该ALCVD法之条件系通入A1(CH3)3+H2O或A1(CH3)3+O2,或A1(CH3)3+O3气体,控制温度于200~500℃。图式简单说明:第1A至1B图系习知具有五氧化二钽介电层之电容器的制程剖面示意图;第2A至2D图系本发明实施例之具有五氧化二钽介电层之电容器的制程剖面示意图。 |
