| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 확산장치에 관한 것으로서, 종래의 반도체 확산장치는 상기 챔버의 내측에 한개의 웨이퍼 만이 수평으로 장착되므로 생산능력이 저조하였으며, 확산가스의 흐름이 수평으로 형성되어 유동이 원활하지 못하였고, 확산공정이 장시간 소요되므로 챔버내의 온도 및 확산가스의 상태가 변화되어 로트내에서 뿐만아니라 로트별로 품질특성이 불균일하고, 급격한 온도변화에 의하여 슬립 및 전위 등의 결정격자이상이 발생되는 문제점이 있었으나, 본 발명은 상,하부에 확산가스가 출입되는 유입구 및 배출구를 설치하고, 내측에는 웨이퍼를 수직으로 장착하는 웨이퍼고정구가 설치된 챔버를 방사상으로 다수개 설치하고, 가열부를 각 챔버의 사이에 다수개 설치함으로써, 다수개의 웨이퍼를 일회의 확산공정으로 작업하여 생산능력이 향상되고, 수직로딩방식에 의하여 확산가스의 흐름이 상하로 형성되어 확산가스의 유동이 원활히 유지되는 한편, 확산공정의 소요시간이 감소되어 챔버내의 온도 및 확산가스의 상태가 매우 적게 변화되므로 로트내에서 뿐만아니라 로트별로 품질특성이 균일하고, 급격한 온도변화가 감소되어 슬립 및 전위 등의 결정격자변형이 감소되는 효과가 있다.</p> |
