| 主权项 |
1.一种修整装置,适用于配合气体进行研磨垫之修 整 装置,该修整装置包括: 一本体,具有一进气口与一排气口,该排气口朝向 于 该研磨垫,该气体经由该进气口输入、经由该排气 口输出 而喷注于该研磨垫之上; 一承载盘,以绕着一第一轴心旋转的方式设置于该 本 体上,该承载盘具有一基面,该基面系朝向于该研 磨垫; 以及 复数修整片,以该第一轴心为中心且成放射状的方 式 分别设置于该基面上,各该等修整片具有一研磨面 ,该等 研磨面系均朝向于该研磨垫。2.如申请专利范围 第1项所述的修整装置系应用于修 整化学机械研磨装置之研磨垫的修整。3.如申请 专利范围第1项所述的修整装置,其中,该 研磨垫系绕着一第二轴心回转,并且该修整装置系 设置于 该第二轴心之一侧,使得该研磨垫系依照回转方向 进入且 通过该本体之该排气口。4.如申请专利范围第3项 所述的修整装置,其中,该 排气口系为曲状排气口。5.如申请专利范围第4项 所述的修整装置,其中,该 排气口系以该第一轴心为中心之曲状排气口。6. 如申请专利范围第5项所述的修整装置,其中,该 排气口之设置范围系以该第一轴心为中心而成角 度为0 ~180之曲状排气口。7.如申请专利范围第6项所述 的修整装置,其中,该 排气口之设置范围系0~120为最佳値。8.如申请专 利范围第1或7项所述的修整装置,其中, 该等修整片系为曲状之修整片。9.如申请专利范 围第8项所述的修整装置,其中,该 等修整片之该研磨面上嵌入有复数钻石颗粒。10. 如申请专利范围第9项所述的修整装置,其中,该 等修整片之间系以不等间隔方式排列。11.一种修 整装置,适用于研磨垫之修整,该修整装 置包括: 一本体,具有一进气口与一排气口,该排气口朝向 于 该研磨垫; 一气体源,连接于该进气口,该气体源将气体经由 该 进气口输入、经由该排气口输出喷注于该研磨垫 之上; 一承载盘,公绕着一第一轴心旋转的方式设置于该 本 体上,该承载盘具有一基面,该基面系朝向于该研 磨垫; 及 复数修整片,以该第一轴心为中心且成放射状的方 式 分别设置于该基面上,各该等修整片具有一研磨面 ,该等 研磨面系均朝向于该研磨垫。12.如申请专利范围 第11项所述的修整装置系应用于 修整化学机械研磨装置之研磨垫的修整。13.如申 请专利范围第12项所述的修整装置,其中, 该研磨垫系绕着一第二轴心回转,并且该修整装置 系设置 于该第二轴心之一侧,使得该研磨垫系依照回转方 向进入 且通过该本体之该排气口。14.如申请专利范围第 13项所述的修整装置,其中, 该排气口系为曲状排气口。15.如申请专利范围第 14项所述的修整装置,其中, 该排气口系以该第一轴心为中心之曲状排气口。 16.如申请专利范围第15项所述的修整装置,其中, 该排气口之设置范围系以该第一轴心为中心而成 角度为0 ~180之曲状排气口。17.如申请专利范围第16项所 述的修整装置,其中, 该排气口之设置范围系0~120为最佳値。18.如申请 专利范围第11或17项所述的修整装置,其 中,该等修整片系为曲状之修整片。19.如申请专利 范围第18项所述的修整装置,其中, 该等修整片之该研磨面上嵌入有复数钻石颗粒。 20.如申请专利范围第19项所述的修整装置,其中, 该等修整片之间系以不等间隔方式排列。 |
