| 发明名称 | 在半导体器件的制造中减少黑硅的方法 | ||
| 摘要 | 在形成硬腐蚀掩模之前,通过在至少晶片的圆周区内形成介质层来减少黑硅的形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1221977A | 申请公布日期 | 1999.07.07 |
| 申请号 | CN98123097.0 | 申请日期 | 1998.12.21 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 彭杜清 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/82;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1．一种含有减少形成黑硅工艺的半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供晶片；在至少晶片的一个主表面上形成基层叠层；构图基层叠层以保护晶片主表面的初始芯片区域，同时留出未保护的圆周区；以及在基层叠层未保护的晶片区域上形成介质层，在随后的腐蚀工艺期间，介质层提供附加的保护以减少黑硅的形成。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||