制造LDD结构的MOS晶体管的方法

摘要

本发明的MOS晶体管具有LDD结构，其特征是，漏是由N^-型杂质区或N^-/N⁺杂质区构成，源是由N⁺型杂质区构成，所以源和漏间的寄生效应是相同的。

主权项

1 一种制造LDD结构MOS晶体管的方法，包括以下步骤：通过第一离子注入工艺，将N-型杂质离子注入到在其上形成栅极的半导体基片内；通过第二离子注入工艺，将N+型杂质离子注入到在其上将要形成源的半导体基片内；和进行退火工艺，激活已注入到半导体基片内的N+和N-型杂质离子，由此形成由N-型杂质区构成的漏和由N+型杂质区构成的源。