Verfahren zur Herstellung epitaktischer Silizium-Germaniumschichten

摘要

Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von relaxierten Epitaxieschichten auf einem Halbleitersubstrat mittels Molekularstrahlepitaxie mit einer Wasserstoffquelle, indem in einer in situ Prozeßfolge DOLLAR A - an oder nahe der Substratoberfläche eine wasserstoffhaltige Zwischenschicht deponiert oder eingebracht wird, DOLLAR A - darauf eine verspannte Epitaxieschicht aufgewachsen wird und DOLLAR A - die Epitaxieschicht mittels einer Temperaturbehandlung relaxiert wird.