| 发明名称 | QLED与TFT集成器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明适用于平板显示技术领域，提供了一种QLED与TFT集成器件及其制备方法。所述QLED与TFT集成器件，包括TFT阵列基板和QLED，所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的衬底、栅极、绝缘层、半导体层和源/漏极层，所述源/漏极层包括互不接触的源极和漏极，所述QLED包括底电极、量子点发光层和顶电极，以所述TFT阵列基板的源极或漏极作为所述QLED的底电极，在所述源极或所述漏极上依次层叠设置有量子点发光层和顶电极。所述一种QLED与TFT集成器件的制备方法，包括以下步骤：提供一TFT背板；在所述TFT背板的源极或漏极上依次沉积量子点发光层和顶电极。 | ||
| 申请公布号 | CN105206641A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201510660658.X | 申请日期 | 2015.10.12 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 肖标;闫晓林 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种QLED与TFT集成器件，包括TFT阵列基板和QLED，所述TFT阵列基板包括从下往上依次设置的衬底、栅极、绝缘层、半导体层和源/漏极层，所述源/漏极层包括互不接触的源极和漏极，所述QLED包括底电极、量子点发光层和顶电极，其特征在于，以所述TFT阵列基板的源极或漏极作为所述QLED的底电极，在所述源极或所述漏极上依次层叠设置有量子点发光层和顶电极。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||