发明名称 半导体器件
摘要 一种半导体器件,具有多个存储单元、处理单元、计测RESET时间的定时器电路、计测SET时间的定时器电路,通过使存储单元中使用的NMOS晶体管的阈值电压比外围电路低,容易地进行复位动作。该半导体器件的特征在于:改变在RESET和SET中流过的电流的方向,通过高速驱动位线,防止错误动作。使用最小尺寸的CMOS晶体管,以核心电压(例如1.2V)使相变元件工作时,因为CMOS晶体管的偏移,所以误写入、数据破坏成为问题。根据本发明,能以最小尺寸的单元晶体管实现低电压下的稳定工作。
申请公布号 CN101587746A 申请公布日期 2009.11.25
申请号 CN200910151383.1 申请日期 2005.02.18
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 长田健一;竹村理一郎;高浦则克;松崎望;河原尊之
分类号 G11C16/02(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种半导体器件,其特征在于:具有存储块和输入输出电路;所述存储块具有:包含在第一方向延伸的多条字线和与所述多条字线交叉的在第二方向延伸的多条位线、在所述第一方向延伸的多条源线、以及配置在所述多条字线和所述多条位线的交点上的多个存储单元的存储器阵列;分别连接在所述多条字线上的多个字驱动器电路;和分别连接在所述多条源线上的多个源驱动器电路;所述多个存储单元分别具有:MOS晶体管;存储元件;连接在所述多条字线中对应的1条上的第一节点;连接在所述多条位线中对应的1条上的第二节点;连接在所述多条源线中对应的1条上的第三节点;所述第一节点连接在所述MOS晶体管的栅极上,在所述第二节点和所述第三节点之间连接所述MOS晶体管的源漏路线和存储元件;所述存储元件根据所提供的电流值的不同,其电阻值变化。
地址 日本东京