| 发明名称 | 具有底部凸块金属化(UBM)结构的半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件具有焊料凸块下方且电连接至焊料凸块的UBM(底部凸块金属化)结构。UBM结构包括具有第一截面尺寸d<sub>1</sub>的第一金属化层、形成在第一金属化层上的具有第二截面尺寸d<sub>2</sub>的第二金属化层和形成在第二金属化层上的具有第三截面尺寸d<sub>3</sub>的第三金属化层，其中，d<sub>1</sub>大于d<sub>3</sub>，d<sub>3</sub>大于d<sub>2</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN102456657B | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201110217315.8 | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴逸文;郭宏瑞;黄见翎;刘重希 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；底部凸块金属化UBM结构，覆盖所述半导体衬底；以及焊料凸块，覆盖并电连接至所述UBM结构；其中，所述UBM结构包括具有第一截面尺寸d<sub>1</sub>的第一金属化层、形成在所述第一金属化层上的具有第二截面尺寸d<sub>2</sub>的第二金属化层、以及形成在所述第二金属化层上的具有第三截面尺寸d<sub>3</sub>的第三金属化层，其中，d<sub>1</sub>大于d<sub>3</sub>，d<sub>3</sub>大于d<sub>2</sub>，并且其中，所述焊料凸块覆盖所述第三金属化层和所述第二金属化层以及它们之间的底切的侧壁，并且其中，所述第一金属化层具有氧化的表面且所述第三金属化层具有氧化的侧壁表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||