| 发明名称 | 一种提高纯离子真空电弧镀膜设备中薄膜沉积速率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高纯离子真空电弧镀膜设备中薄膜沉积速率的方法，具体的操作是在过滤器的管壁上施加正偏压。通过在过滤器的管壁上施加正偏压，使得管道壁处的电势增加，排斥正电荷离子束流，使荷质比较小、螺旋半径较大的离子也能通过过滤器，从而提高了沉积速率。 | ||
| 申请公布号 | CN104762604A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201510193012.5 | 申请日期 | 2015.04.22 |
| 申请人 | 安徽纯源镀膜科技有限公司 | 发明人 | 张心凤;郑杰;尹辉 |
| 分类号 | C23C14/32(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种提高纯离子真空电弧镀膜设备中薄膜沉积速率的方法，其特征在于：其是在过滤器的管壁上施加正偏压。 | ||
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号F1楼1709室 | ||