一种半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其形成方法。在所述半导体器件的外延层内，包括红光像素单元、绿光像素单元和蓝光像素单元，在所述绿光像素单元和蓝光像素单元内设置第一阻挡层，所述第一阻挡层位于绿光像素单元内的第二电子收集区域下方；在蓝光像素单元内设置第二阻挡层，所述第二阻挡层位于蓝光像素单元的第三电子收集区域下方。所述第一阻挡层和第二阻挡层可有效阻止各像素单元内的电子扩散至相邻的像素单元内，并被相邻的像素单元的电子吸收层吸收，从而避免出现造成电学串扰现象。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底和位于半导体衬底上的外延层；位于外延层内的至少一个像素区域，所述像素区域包括红光像素单元、绿光像素单元和蓝光像素单元，所述红光像素单元、绿光像素单元和蓝光像素单元并行排列；其特征在于，还包括：位于所述绿光像素单元和蓝光像素单元内的所述外延层内的第一阻挡层，且所述第一阻挡层位于半导体衬底上；位于所述蓝光像素单元内的所述外延层内的第二阻挡层，且所述第二阻挡层位于所述第一阻挡层上方。