发明名称 离子阱
摘要 一种离子阱,该离子阱包括:第一磁性部件阵列,所述第一磁性部件阵列被布置为生成具有均匀度的第一磁场;和电极阵列,所述电极阵列被布置为生成在其中所述磁场具有大致最大的均匀度的位置处在电势上包括转折点的静电场;其中,所述电极阵列是平面的并且在所述位置处平行于所述磁场的方向;并且其中,主第一磁性部件被布置为,生成所述第一磁场的第一分量,并且其它第一磁性部件被布置为,生成所述第一磁场的补偿分量,所述补偿分量缩减在所述第一磁场具有所述大致最大的均匀度的所述位置处的、所述第一磁场的所述第一分量的梯度、曲率以及更高阶导数。
申请公布号 CN103946951A 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201280056990.X 申请日期 2012.09.20
申请人 苏塞克斯大学 发明人 J·L·韦尔杜·加利亚纳
分类号 H01J49/42(2006.01)I;H01J49/00(2006.01)I 主分类号 H01J49/42(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 吕俊刚;刘久亮
主权项 一种离子阱,所述离子阱包括:第一磁性部件阵列,所述第一磁性部件阵列被布置为生成具有均匀度的第一磁场;和电极阵列,所述电极阵列被布置为生成在其中所述磁场具有大致最大的均匀度的位置处在电势上包括转折点的静电场;其中,所述电极阵列是平面的并且在所述位置处平行于所述磁场的方向;并且其中,主第一磁性部件被布置为,生成所述第一磁场的第一分量,并且其它第一磁性部件被布置为,生成所述第一磁场的补偿分量,所述补偿分量缩减在所述第一磁场具有所述大致最大的均匀度的位置处的、所述第一磁场的所述第一分量的梯度、曲率以及更高阶导数。
地址 英国萨塞克斯