发明名称 用于导电性的电磁兼容晶片
摘要 根据本发明,提供一种半导体装置,其包括:半导体裸片或芯片;封装主体;以及封装主体穿导孔。所述半导体芯片包含多个导电接垫。所述封装主体封装所述半导体芯片的侧壁,且具有形成于所述封装主体中的具有侧壁的至少一个孔,所述侧壁具有规定的第一表面粗糙度值。所述封装主体穿导孔位于所述封装主体的所述孔中,且包括电介质材料和至少一个导电互连金属。所述电介质材料位于所述孔的所述侧壁上,且界定具有侧壁的至少一个孔洞,所述侧壁具有小于所述第一表面粗糙度值的第二表面粗糙度值。所述互连金属安置于所述孔洞中。
申请公布号 CN103887250A 申请公布日期 2014.06.25
申请号 CN201310712235.9 申请日期 2013.12.20
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈勇仁;丁一权;黃敏龙
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 林斯凯
主权项 一种半导体装置,其包括:半导体芯片,其包含多个导电接垫;封装主体,其至少部分地封装所述半导体芯片,所述封装主体具有形成于所述封装主体中的至少一个孔,所述至少一个孔界定具有第一表面粗糙度值的孔侧壁;以及至少一个封装主体穿导孔,其位于所述孔中,所述穿导孔包括位于所述孔的所述孔侧壁上的电介质材料,且所述电介质材料界定具有孔洞侧壁的至少一个孔洞,所述孔洞侧壁具有小于所述第一表面粗糙度值的第二表面粗糙度值。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号