发明名称 |
Wiederherstellung von Oberflächeneigenschaften empfindlicher Dielektrika mit kleinemεin Mikrostrukturbauelementen unter Anwendung einer in-situ-Oberflächenmodifizierung |
摘要 |
Strukturierungsbedingte Schädigungen empfindlicher dielektrischer Materialien mit kleinem &egr; in Halbleiterbauelementen werden zu einem gewissen Grade wieder aufgehoben auf der Grundlage einer Oberflächenbehandlung, die vor dem Einwirken der Umgebungsatmosphäre auf das Bauelement ausgeführt wird. Dazu werden die ungesättigten Siliziumbindungen des siliziumoxidbasierten dielektrischen Materials mit kleinem &egr; in einer abgeschlossenen Prozessumgebung gesättigt, wodurch bessere Prozessbedingungen für das nachfolgende Anwenden einer geeigneten Reparaturchemie geschaffen werden.
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申请公布号 |
DE102010040071(A1) |
申请公布日期 |
2012.03.01 |
申请号 |
DE201010040071 |
申请日期 |
2010.08.31 |
申请人 |
GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ONE LTD. LIABILITYCOMPANY & CO. KG;GLOBALFOUNDRIES INC. |
发明人 |
SCHALLER, MATTHIAS;FISCHER, DANIEL;OSZINDA, THOMAS |
分类号 |
H01L21/311;H01L21/768;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L21/311 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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