| 发明名称 | Al<sub>x</sub>Ga<sub>y</sub>In<sub>1-x-y</sub>N衬底及其清洗方法，AIN衬底及其清洗方法 | ||
| 摘要 | Al xGa yIn 1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法，提供了一种Al xGa yIn 1-x-yN衬底，其中当Al xGa yIn 1-x-yN衬底的直径为2英寸时，Al xGa yIn 1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该Al xGa yIn 1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种Al xGa yIn 1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该Al xGa yIn 1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C 1s电子的峰面积和N 1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该Al xGa yIn 1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al 2s电子峰面积和N 1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101312164B | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200810130622.0 | 申请日期 | 2005.07.01 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 上村智喜;石桥惠二;藤原伸介;中幡英章 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的所述AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面的光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||